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Halbleiter Transistor - Schulfilm Physik

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Das Wichtigste aus dem Video

Tipp auf eine Zeit – das Video springt genau dorthin.

Transkriptautomatisch erstellt · 40 Zeilen
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  1. [Musik] Thema dieses Films ist das am häufigsten in elektronischen Geräten eingesetzte Bauteil der
  2. Transistor die grundlegende Technik des Transistors wurde bereits 1925 beschrieben hergestellt werden konnte das elektronische Bauteil zu
  3. dieser Zeit aber noch nicht es fehlte an der Technik Halbleitermaterial in der erforderlichen Reinheit herzustellen erst in den 1940er Jahren gelang es
  4. einen funktionsfähigen Transistor zu bauen grundlage dafür waren Forschungen bei denen ausgehend von der Halbleiterdiode mit ihrer PN
  5. Grenzschicht nun mit zwei Grenzschichten experimentiert wurde NPN diese Bauteile wurden daher auch doppeldioden
  6. genannt dabei stieß man auf ein überraschendes Phänomen die doppeldi verhalten sich nämlich nicht wie zwei Dioden sondern hier fließt Strom in eine
  7. der beiden sperrrichtungen tatsächlich ist dieser sogenannte dreckeffekt die Basis für alle heutigen elektronischen Schaltungen
  8. hier dienen Transistoren zum Schalten und verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanischen Einfluss da diese Funktionalität der
  9. einer Triode vergleichbar ist wird der Transistor auch halbleitertriod genannt sehen wir uns zum Verständnis die Versuchsanordnung der doppeldiode
  10. genauer an sie besteht aus zwei npdioden die eine gemeinsame Basis haben so entsteht das NPN Bauteil die beiden äußeren n-anschlüsse werden als
  11. Kollektor und Emitter bezeichnet der gemeinsame p-anschluss als Basis dieser Aufbau des neuen Bauteils des Transistors spiegelt sich übrigens
  12. auch in seinem Zeichen für Schaltpläne wieder zusätzlich gibt es noch Transistoren mit genau entgegengesetzter Polung bei denen die dotierten Schichten
  13. umgekehrt angeordnet sind im Unterschied zu den hier beschriebenen NPN Transistoren heißen sie folgerichtig PNP Transistoren und haben ein etwas anderes
  14. Schaltbild doch blicken wir kurz noch einmal auf die Diode zurück hier befinden sich in ndotierten Halbleitern freibewegliche Elektronen und in
  15. pdtierten Halbleitern freibewegliche positive Ladungsträger sogenannte Löcher wird an einem Transistor eine Spannung zwischen Kollektor als Pluspol
  16. und Emitter als Minuspol angelegt passiert nichts der Transistor ist gesperrt verhält sich also wie eine Diode in
  17. Sperrrichtung wird nun zusätzlich eine Spannung zwischen Emitter als Minuspol und Basis als Pluspol angelegt verhält sich das Basis emitterteil wie eine
  18. Diode in Durchlassrichtung Elektronen fließen vom Emitter in die emitterbasisgrenzschicht und von dort in
  19. den Basisanschluss es fließt Strom interessanterweise sperrt nun aber auch die Gesamtkonstruktion also die Strecke imemitter Kollektor nicht mehr
  20. auch hier fließt Strom und zwar umso mehr je höher der Stromfluss zwischen Emitter und Basis ist das ist der dreckeffekt
  21. er lässt sich so erklären einige der Elektronen die durch die Grenzschicht von der Emitter nschicht in die Basis pschicht gelangt sind schaffen es nicht
  22. dort freie Löcher aufzufüllen sie werden aber auch nicht schnell genug vom Basisanschluss abgesaugt stattdessen durchtunneln sie
  23. die basiskollektor Grenzschicht die Elektronen verirren sich also gewissermaßen in die nschicht des Kollektors hier werden sie nun vom
  24. Pluspol angesaugt und verlassen die Schicht über den Kollektor aus diesem Grund fließt Strom in der Emitter kollektorstrecke dieser Effekt ist umso
  25. stärker je dünner die Basisschicht ist bei sehr dünner Basis und hoher Spannung ist der Elektronenstrom der zwischen Emitter und klekor Fließ um ein
  26. Vielfaches größer als der zwischen Emitter und Basis gichzeitig reagiert der Emitter Kollektor Elektronenstrom Proportion auf
  27. Veränderung imemitter basiselektronenstrom kine stromschankung zwischen Basis unditter RF prechend gröere stromschankung zwi kleor
  28. unditteror die schwungen werden verstkt ein typischer Verstärkungsfaktor für ein solches Bauteil ist der Faktor 1000 hier bewirkt z.B eine Stromänderung
  29. von einem tausendel Ampere zwischen Basis und Emitter eine Stromänderung von einem Ampere zwischen Kollektor und Emitter da Transistoren viel preiswerter
  30. hergestellt werden konnten als die bis dahin zur Verstärkung verwendeten Elektronenröhren wurden diese in den 1950er und Jahren nahzu vollständig
  31. durch Transistorschaltungen ersetzt in der aufkommenden Digitaltechnik gab es dann eine wahre Flut von Anwendungsmöglichkeiten für
  32. Transistoren in digitalen Schaltungen können Sie als ein Ausschalter betrieben werden liegt kein Strom zwischen Basis und Emitter an fließt auch kein Strom
  33. zwischen Kollektor und Emitter der Schalter ist geöffnet liegt ein Strom zwischen Basis und und Emitter an fließt aus Strom
  34. zwischen Kollektor und Emitter der Schalter ist geschlossen das vorerst letzte Kapitel in der Geschichte des Transistors war
  35. die Zusammenfassung mehrerer Transistoren zu einem einzigen Bauteil in sogenannten integrierten Schaltkreisen das erste in den späten
  36. 1950er Jahren so gebaute Element bestand aus zwei Transistoren und vier Widerständen und bildete ein Flipflop eine elektronische Schaltung die zwei
  37. stabile Zustände einnehmen kann unter Spannung kann damit eine Datenmenge von einem bit gespeichert werden für dieses Basiselement digitaler
  38. Maschinen erhielt sein Erfinder Jack kilby 40 Jahre später den Physik Nobelpreis die heutigen Mikrochips sind im Wesentlichen integrierte Schaltkreise
  39. auf üblicherweise rechteckigen leiterplättchen sie vereinigen in einem einzigen winzigen Bauteil mehrere hundert Millionen Transistoren und
  40. andere Bauelemente wie Widerstände oder Kondensatoren der derzeit leistungsfähigste Grafikchip besteht sogar aus über 7 Milliarden Transistoren

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